NTB082N65S3F

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

40 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

82 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

81 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

313 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

SuperFET3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel SuperFET III MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

79 ns

典型的なターンオン遅延時間：

27 ns

Tags

NTB0, NTB