STH180N10F3-2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H2PAK-2

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

114.6 nC

Pd-消費電力：

315 W

構成：

独身

商標名：

STripFET

包装：

リール

シリーズ：

STH180N10F3-2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

6.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

97.1 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STH180N1, STH180, STH18, STH1, STH