NGTB30N120L2WG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-247

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.7 V

最大ゲートエミッタ電圧：

30 V

25℃での連続コレクタ電流：

60 A

Pd-消費電力：

534 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

シリーズ：

NGTB30N120L2

包装：

チューブ

ブランド：

オン・セミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.229281 oz

Tags

NGTB30N12, NGTB30N1, NGTB30, NGTB3, NGTB, NGT