UMG4N-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアルエミッタ接地

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

10 kOhms

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-353-5

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMG4N

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

600

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

幅：

1.35 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000212 oz

Tags

UMG4N, UMG4, UMG