EM6K31GT2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

250 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.7 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

EM6K31

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

28 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.5 ns

単位重量：

0.000106 oz

Tags

EM6K31, EM6K3, EM6K, EM6