2SC3649T-TD-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

180 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

130 mV

最大DCコレクタ電流：

1.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SC3649

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001973 oz

Tags

2SC3649T, 2SC3649, 2SC364, 2SC36, 2SC3, 2SC