BSS138LT7G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

0.85 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

225 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

100 mMhos

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

Tags

BSS138LT, BSS138L, BSS138, BSS13, BSS1, BSS