QS8J4TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

40 mOhms, 40 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

13 nC, 13 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

QS8J4

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

50 ns, 50 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns, 20 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns, 80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns, 8 ns

パーツ番号エイリアス：

QS8J4

Tags

QS8J4, QS8J, QS8