FQA7N80C-F109

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3PN-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.9 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

198 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

QFET

包装：

チューブ

高さ：

20.1 mm

長さ：

16.2 mm

シリーズ：

FQA7N80C_F109

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

60 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

100 ns

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

35 ns

パーツ番号エイリアス：

FQA7N80C_F109

単位重量：

0.225789 oz

Tags

FQA7N80C-F, FQA7N80C, FQA7N8, FQA7N, FQA7, FQA