DMTH6016LFVWQ-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerDI-3333-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

41 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

15.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

2.38 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

DMTH6016

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

5.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.3 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.3 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.9 ns

Tags

DMTH6016LFV, DMTH6016LF, DMTH6016, DMTH601, DMTH60, DMTH6, DMTH, DMT