HGT1S12N60A4S9A

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-263AB-3

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1200 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.7 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

35 A

Pd-消費電力：

298 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

HGT1S12N60A4S9A

包装：

リール

連続コレクタ電流IcMax：

54 A

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

55 A

ゲートエミッタリーク電流：

+/- 250 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.046296 oz

Tags

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