MRFE6VP6300-88

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

130 V

利得：

26.5 dB

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780

シリーズ：

MRFE6VP6300

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

1.05 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

パーツ番号エイリアス：

935372357598

Tags

MRFE6VP63, MRFE6VP6, MRFE6VP, MRFE6V, MRFE6, MRFE, MRF