STB10N60M2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

7.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

600 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

13.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

85 W

構成：

独身

商標名：

MDmesh

包装：

リール

シリーズ：

STB10N60M2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

13.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.8 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB10N6, STB10N, STB10, STB1, STB