IRF100P218XKMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247AC-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

462 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.28 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

370 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

556 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

240 S

立ち下がり時間：

120 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

110 ns

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

170 ns

典型的なターンオン遅延時間：

50 ns

パーツ番号エイリアス：

IRF100P218 SP001619550

Tags

IRF100, IRF10, IRF1, IRF