MMBFJ212

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

T

トランジスタタイプ：

JFET

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 25 V

Id-連続ドレイン電流：

40 mA

最大ドレインゲート電圧：

25 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

225 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23

包装：

リール

構成：

独身

動作温度範囲：

- 55 C to + 150 C

製品：

RF JFET

タイプ：

JFET

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.007 S to 0.012 S

ゲート-ソースカットオフ電圧：

- 6 V

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

MMBFJ212, MMBFJ21, MMBFJ2, MMBFJ, MMBF, MMB