TSM60NB041PW C1G

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

78 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

38 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

139 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

446 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

NチャネルパワーMOSFET

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

148 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

152 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

445 ns

典型的なターンオン遅延時間：

107 ns

Tags

TSM60NB0, TSM60NB, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM