ZXMS6005DN8Q-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

1.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

350 mOhms, 350 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

1.56 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

15 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 us

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 us

典型的なターンオン遅延時間：

5 us

単位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMS6005D, ZXMS6005, ZXMS6, ZXMS, ZXM