PMDPB58UPE,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-2020-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

950 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

9.5 nC, 9.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.21 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

9 S, 9 S

立ち下がり時間：

14 ns, 14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns, 15 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

41 ns, 41 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 7 ns

Tags

PMDPB58, PMDPB5, PMDPB, PMDP, PMD