TK6A60D(STA4,Q,M)

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.25 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

16 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

40 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

高さ：

15 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

TK6A60D

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

40 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

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