BSC057N08NS3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

56 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

114 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.27 mm

長さ：

5.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

OptiMOS 3 Power-Transistor

幅：

5.15 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 S

立ち下がり時間：

9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

BSC057N08NS3GATMA1 BSC57N8NS3GXT SP000447542

単位重量：

0.003527 oz

Tags

BSC057N08NS3, BSC057N08, BSC057, BSC05, BSC0, BSC