DMN601WK-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

300 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMN60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.35 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000176 oz

Tags

DMN601WK-7, DMN601W, DMN601, DMN60, DMN6, DMN