DTD123TSTP

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

2.2 kOhms

典型的な抵抗比：

-

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

SPT-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

最大動作周波数：

200 MHz

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

500 mA

ピークDCコレクタ電流：

500 mA

Pd-消費電力：

300 mW

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

ブランド：

ロームセミコンダクター

チャネルモード：

強化

最大DCコレクタ電流：

500 mA

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

DTD123T, DTD123, DTD12, DTD1, DTD