IFND89

製品属性

属性値

メーカー：

InterFET

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-70-5

トランジスタの極性：

Nチャネル

構成：

独身

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

3.3 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 15 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

1 mA

Id-連続ドレイン電流：

1 uA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 kOhms

Pd-消費電力：

250 mW

シリーズ：

IFND89

包装：

バルク

タイプ：

JFET

ブランド：

InterFET

フォワード相互コンダクタンス-最小：

600 uS

ゲート-ソースカットオフ電圧：

- 900 mV

ファクトリーパックの数量：

1

単位重量：

0.000705 oz

Tags

IFN