NX1029X,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-666-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V, 50 V

Id-連続ドレイン電流：

300 mA, 170 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.6 Ohms, 7.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

0.25 nC, 0.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

製品：

MOSFET

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

トレンチMOSFET

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

550 mS, 150 mS

立ち下がり時間：

7 ns, 25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns, 11 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns, 48 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns, 13 ns

単位重量：

0.000095 oz

Tags

NX1029X, NX1029, NX102, NX10, NX1