FCMT299N60

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-88-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

299 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

39 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

商標名：

SuperFET II

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

8 mm

シリーズ：

FCMT299N60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

51 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

単位重量：

0.015839 oz

Tags

FCMT, FCM