NTD4965NT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

68 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

28.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

38.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

NTD4965N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

52 S

立ち下がり時間：

7.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

21.5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.3 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD4965N, NTD4965, NTD496, NTD49, NTD4, NTD