IRFL210TRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

960 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

8.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.8 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

IRFL

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.5 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.51 S

立ち下がり時間：

8.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.2 ns

単位重量：

0.008818 oz

Tags

IRFL210TRP, IRFL210T, IRFL210, IRFL21, IRFL2, IRFL, IRF