DMG4822SSDQ-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

21 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

10.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.42 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

20 mS

立ち下がり時間：

3.1 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.9 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.9 ns

単位重量：

0.002540 oz

Tags

DMG482, DMG48, DMG4, DMG