IRF9389TRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

6.8 A, 4.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

22 mOhms, 51 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

6.8 nC, 8.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

商標名：

HEXFET

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

IRF939

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8.2 S, 4.1 S

立ち下がり時間：

3.9 ns, 15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.8 ns, 14 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

4.9 ns, 17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.1 ns, 8 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001551666

単位重量：

0.017870 oz

Tags

IRF938, IRF93, IRF9, IRF