ECH8652-TL-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ECH-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

49 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

11 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 mW

構成：

デュアル

包装：

リール

シリーズ：

ECH8652

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

87 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

72 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

105 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

Tags

ECH865, ECH86, ECH8, ECH