MJE181G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-225-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.7 V

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

50 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJE181

高さ：

11.04 mm

長さ：

7.74 mm

包装：

バルク

幅：

2.66 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

50

Pd-消費電力：

1.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.023986 oz

Tags

MJE181, MJE18, MJE1, MJE