ZXMC10A816N8TC

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

2.1 A, 2.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

230 mOhms, 235 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V, 2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

9.2 nC, 16.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.8 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

4.95 mm

シリーズ：

ZXMC10A8

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

3.95 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.8 S, 4.7 S

立ち下がり時間：

5 ns, 12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.1 ns, 5.2 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12.1 ns, 20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.9 ns, 4.3 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMC10A816N, ZXMC1, ZXMC, ZXM