IPW60R190E6FKSA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

20.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

63 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

151 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolMOS

包装：

チューブ

高さ：

21.1 mm

長さ：

16.13 mm

シリーズ：

CoolMOS E6

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.21 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

240

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

90 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

IPW60R190E6 IPW6R19E6XK SP000797384

単位重量：

1.340411 oz

Tags

IPW60R190E, IPW60R190, IPW60R19, IPW60R1, IPW60, IPW6, IPW