FCH041N65EFLN4

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

76 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

41 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

229 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

595 W

構成：

シングルデュアルソース

チャネルモード：

強化

商標名：

SuperFET II

包装：

チューブ

シリーズ：

SuperFET II

トランジスタタイプ：

1 N-Channel SUPERFET II Power MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

71.7 S

立ち下がり時間：

18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

169 ns

典型的なターンオン遅延時間：

55 ns

Tags

FCH041N65E, FCH041N65, FCH041, FCH04, FCH0, FCH