UF3C120080K4S

製品属性

属性値

メーカー：

UnitedSiC

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1200 V

Id-連続ドレイン電流：

33 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

51 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

254.2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

チューブ

シリーズ：

UF3C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

UnitedSiC

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

43 ns

典型的なターンオン遅延時間：

33 ns

Tags

UF3C1200, UF3C1, UF3C, UF3