MRF6S21140HR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

68 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-880

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

5.08 mm

長さ：

34.16 mm

シリーズ：

MRF6S21140H

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

13.8 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

50 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 12 V

単位重量：

0.343346 oz

Tags

MRF6S2114, MRF6S211, MRF6S21, MRF6S2, MRF6S, MRF6, MRF