BC848BHZGT116

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

600 mV

最大DCコレクタ電流：

100 mA

ゲイン帯域幅積fT：

200 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

450

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

350 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

BC848BHZG

Tags

BC848B, BC848, BC84, BC8