APTGT50DH120T3G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

IGBTモジュール

JBoss：

Y

製品：

IGBTシリコンモジュール

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

1.2 kV

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.7 V

25℃での連続コレクタ電流：

75 A

ゲートエミッタリーク電流：

400 nA

Pd-消費電力：

277 W

パッケージ/ケース：

SP3-32

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 100 C

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

取り付けスタイル：

シャーシマウント

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

製品タイプ：

IGBTモジュール

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

IGBT

Tags

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