IXTN32P60P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

シャーシマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

32 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

350 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Qg-ゲートチャージ：

196 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

890 W

包装：

チューブ

製品：

パワーMOSFET

シリーズ：

IXTN32P60

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

32 S / 21 S

立ち下がり時間：

33 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

95 ns

典型的なターンオン遅延時間：

37 ns

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXTN3, IXTN, IXT