ZXM61P02FTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

920 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

600 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

3.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

806 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.02 mm

長さ：

3.04 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

ZXM61P02

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.4 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.56 S

立ち下がり時間：

10.1 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.9 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

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