RM120N85T2

製品属性

属性値

メーカー：

Rectron

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

85 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

55 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

160 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Rectron

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 S

立ち下がり時間：

13.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12.5 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

38 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13.5 ns

Tags

RM120, RM12, RM1