SPB08P06P G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

8.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

300 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

42 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SIPMOS

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

SPB08P06

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

46 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

48 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

SP000102179 SPB08P06PGATMA1 SPB8P6PGXT

単位重量：

0.067021 oz

Tags

SPB08P06PG, SPB08P, SPB08, SPB0, SPB