NSS60200LT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS60200LT1G

高さ：

0.94 mm

長さ：

2.9 mm

包装：

リール

幅：

1.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

150

Pd-消費電力：

540 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000282 oz

Tags

NSS60200, NSS602, NSS6, NSS