IXTH3N120

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

39 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

150 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

21.46 mm

長さ：

16.26 mm

シリーズ：

IXTH3N120

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

高電圧パワーMOSFET

幅：

5.3 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.5 S

立ち下がり時間：

18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

単位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTH3N1, IXTH3N, IXTH3, IXTH, IXT