SI2312-TP

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロコマーシャルコンポーネント（MCC）

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

31.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

350 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

TrenchFET

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

マイクロコマーシャルコンポーネント（MCC）

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.000282 oz

Tags

SI2312, SI231, SI23, SI2