CMLDM8120G TR

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

860 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

240 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

760 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

3.56 nC

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

350 mW

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

CMLDM8

ブランド：

セントラルセミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

CMLDM8120G PBFREE TR

単位重量：

0.000106 oz

Tags

CMLDM8120GT, CMLDM8120G, CMLDM81, CMLDM8, CMLDM, CMLD, CML