NE5230DR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

オペアンプ-オペアンプ

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

供給電圧-最大：

15 V

チャネルあたりの出力電流：

6 mA

チャネル数：

1 Channel

GBP-ゲイン帯域幅積：

250 kHz

SR-スルーレート：

0.09 V/us

CMRR-同相信号除去比：

85 dB

Ib-入力バイアス電流：

150 nA

Vos-入力オフセット電圧：

3 mV

供給電圧-最小：

1.8 V

動作供給電流：

110 uA

最低動作温度：

0 C

最高作動温度：

+ 70 C

シャットダウン：

シャットダウンなし

シリーズ：

NE5230

包装：

リール

アンプタイプ：

低電圧アンプ

高さ：

1.5 mm (Max)

長さ：

5 mm (Max)

製品：

オペアンプ

供給タイプ：

シングル、デュアル

テクノロジー：

バイポーラ

幅：

4 mm (Max)

ブランド：

オン・セミコンダクター

二重供給電圧：

+/- 3 V, +/- 5 V

ja-入力電圧ノイズ密度：

60 nV/sqrt Hz

最大デュアル電源電圧：

+/- 7.5 V

最小二重供給電圧：

+/- 0.9 V

動作供給電圧：

1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

製品タイプ：

オペアンプ-オペアンプ

PSRR-電源拒否率：

85 dB

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

アンプIC

Vcm-コモンモード電圧：

Negative Rail + 0.25 V to Positive Rail - 0.25 V

電圧ゲインdB：

126.02 dB

単位重量：

0.019048 oz

Tags

NE5230DR, NE5230D, NE5230, NE523, NE52, NE5