TGF2025

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

pHEMT

テクノロジー：

GaAs

利得：

14 dB

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

8 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 15 V

Id-連続ドレイン電流：

81 mA

最大ドレインゲート電圧：

12 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

890 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

包装：

ジェルパック

構成：

独身

動作周波数：

20 GHz

動作温度範囲：

- 65 C to + 150 C

製品：

RF JFET

シリーズ：

TGF

タイプ：

GaAs pHEMT

ブランド：

カーボ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

97 mS

NF-雑音指数：

0.9 dB

P1dB-圧縮ポイント：

24 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

1098611

Tags

TGF202, TGF20, TGF2, TGF