FDP023N08B-F102

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

75 V

Id-連続ドレイン電流：

242 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.96 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

150 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

245 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FDP023N08B

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

185 S

立ち下がり時間：

56 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

71 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

111 ns

典型的なターンオン遅延時間：

41 ns

パーツ番号エイリアス：

FDP023N08B_F102

単位重量：

0.082753 oz

Tags

FDP023N, FDP023, FDP02, FDP0, FDP