FDMD85100

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-33-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

48 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

18.7 mOhms, 18.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

22 nC, 21 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

50 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerTrenchパワークリップ

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

FDMD85100

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

27 S, 26 S

立ち下がり時間：

4.2 ns, 4.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns, 5.6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19 ns, 18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns, 12.5 ns

単位重量：

0.003346 oz

Tags

FDMD85, FDMD, FDM